സാംസങ് ഇന്ന് 3-നാനോമീറ്റർ നിർമ്മാണ പ്രക്രിയ ഉപയോഗിച്ച് അതിൻ്റെ പുതിയ DDR20 DRAM മൊഡ്യൂളുകളുടെ വൻതോതിലുള്ള ഉത്പാദനം ആരംഭിച്ചു. ഈ പുതിയ മൊഡ്യൂളുകൾക്ക് 4Gb, അതായത് 512MB ശേഷിയുണ്ട്. എന്നിരുന്നാലും, വ്യക്തിഗത മൊഡ്യൂളുകളുടെ ലഭ്യമായ മെമ്മറി അവയുടെ പ്രാഥമിക സവിശേഷതയല്ല. പുരോഗമനം ഒരു പുതിയ ഉൽപ്പാദന പ്രക്രിയയുടെ ഉപയോഗത്തിലാണ്, ഇത് പഴയ, 25-നാനോമീറ്റർ പ്രക്രിയയെ അപേക്ഷിച്ച് 25% വരെ കുറഞ്ഞ ഊർജ്ജ ഉപഭോഗത്തിന് കാരണമാകുന്നു.
20-nm പ്രോസസ്സ് ഉപയോഗിച്ച് മെമ്മറി മൊഡ്യൂളുകളുടെ നിർമ്മാണം ആരംഭിക്കുന്നതിൽ നിന്ന് കമ്പനിയെ വേർതിരിക്കുന്ന അവസാന ഘട്ടം കൂടിയാണ് 10-nm സാങ്കേതികവിദ്യയിലേക്കുള്ള നീക്കം. പുതിയ മൊഡ്യൂളുകൾക്കായി നിലവിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന സാങ്കേതികവിദ്യയും വിപണിയിൽ ഏറ്റവും പുരോഗമിച്ചതും കമ്പ്യൂട്ടറുകൾക്കൊപ്പം മാത്രമല്ല, മൊബൈൽ ഉപകരണങ്ങളും ഉപയോഗിക്കാനും കഴിയും. കമ്പ്യൂട്ടറുകളെ സംബന്ധിച്ചിടത്തോളം, സാംസങ്ങിന് ഇപ്പോൾ അതേ വലുപ്പമുള്ള ചിപ്പുകൾ സൃഷ്ടിക്കാൻ കഴിയും, എന്നാൽ കാര്യമായ വലിയ ഓപ്പറേറ്റിംഗ് മെമ്മറി ഉള്ളത്. നിലവിലെ നിർമ്മാണ രീതി നിലനിർത്തിക്കൊണ്ടുതന്നെ ചിപ്പുകളെ ചെറുതാക്കാൻ സാംസങ്ങിന് നിലവിലുള്ള സാങ്കേതികവിദ്യ പരിഷ്‌ക്കരിക്കേണ്ടിവന്നു.
- നിങ്ങൾക്ക് ഇതിൽ താൽപ്പര്യമുണ്ടാകാം: സാംസങ് ആദ്യത്തെ 8Gb LPDDR4 മൊബൈൽ DRAM മെമ്മറി വികസിപ്പിച്ചെടുത്തു
